دیتاشیت PSMN069-100YS,115
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | PSMN069-100YS,115 |
---|---|
حجم فایل | 56.313 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 15 |
دانلود دیتاشیت PSMN069-100YS,115 |
PSMN069-100YS,115 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Nexperia PSMN069-100YS,115
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 56W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 645pF@50V
- Continuous Drain Current (Id): 17A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 72.4mΩ@10V,5A
- Package: SOT-669
- Manufacturer: Nexperia